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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
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¥9.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
京电港自营
自营
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ZVN2120GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3V @ 1mA
-
85pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
10 欧姆 @ 250mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 6A 8-SO
京电港自营
自营
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DMP4025LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
33.7nC @ 10V
1640pF @ 20V
±20V
-
1.52W（Ta）
25 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP2007UFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
京电港自营
自营
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DMT3008LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14nC @ 10V
886pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
10 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
京电港自营
自营
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DMT3006LFG-7
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
27.8W（Tc）
6 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN4008LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
3V @ 250µA
74nC @ 10V
3537pF @ 20V
±20V
-
1W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP2021UFDF-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±8V
-
730mW（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.47
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
京电港自营
自营
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ZVP2120GTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
100pF @ 25V
-
-
2W（Ta）
25 欧姆 @ 150mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
京电港自营
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DMTH6010SK3Q-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
38.1nC @ 10V
2841pF @ 30V
±20V
-
3.1W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.15
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
京电港自营
自营
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DMTH6010LK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
3.1W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
京电港自营
自营
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DMN15H310SE-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 250µA
8.7nC @ 10V
405pF @ 25V
±20V
-
1.9W（Ta）
310 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥11.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 80V 50A TO252
京电港自营
自营
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DMTH8012LK3Q-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
46.8nC @ 10V
2051pF @ 40V
±20V
-
2.6W（Ta）
16 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH4011SPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.5W（Ta），150W（Tc）
10 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥9.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMT8012LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
34nC @ 10V
1949pF @ 40V
±20V
-
2.2W（Ta），30W（Tc）
16 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥23.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
京电港自营
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ZXMN2A02X8TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
18.6nC @ 4.5V
1900pF @ 10V
±20V
-
1.1W（Ta）
20 毫欧 @ 11A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
8-MSOP
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥9.54
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89
京电港自营
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ZVP4525ZTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5V，10V
2V @ 1mA
3.45nC @ 10V
73pF @ 25V
±40V
-
1.2W（Ta）
14 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
京电港自营
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ZXMP7A17GQTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
160 毫欧 @ 2.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223
京电港自营
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DMP10H400SEQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.5nC @ 10V
1239pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）, 13.7W（Tc）
250 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥16.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
京电港自营
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ZXMN3A01E6TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
±20V
-
1.1W（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
京电港自营
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DMN6069SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1480pF @ 30V
±20V
-
930mW（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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