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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN4008LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
3V @ 250µA
74nC @ 10V
3537pF @ 20V
±20V
-
1W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMN20B28KTC
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
8.1nC @ 5V
358pF @ 25V
±20V
-
2.2W（Ta）
750 毫欧 @ 2.75A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
京电港自营
自营
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ZVN4206ASTZ
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
1 欧姆 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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DMN7022LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
56.5nC @ 10V
2737pF @ 35V
±20V
-
900mW（Ta）
22 毫欧 @ 7.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 25A TO252
京电港自营
自营
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DMNH6042SK3-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.8nC @ 10V
492pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 55A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6021SPS-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
19.7nC @ 10V
1016pF @ 30V
±20V
-
1.6W（Ta）, 53W（Tc）
23 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMP3035LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
2V @ 250µA
30.7nC @ 10V
1655pF @ 20V
±25V
-
2W（Ta）
16 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
京电港自营
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DMN3010LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
43.7nC @ 10V
2096pF @ 15V
±20V
-
2.5W（Ta）
9 毫欧 @ 16A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
京电港自营
自营
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ZVN2110ASTZ
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
4 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3
京电港自营
自营
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ZVN2106ASTZ
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 18V
±20V
-
700mW（Ta）
2 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
京电港自营
自营
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DMT3008LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14nC @ 10V
886pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
10 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
京电港自营
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DMN30H4D0LFDE-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，10V
2.8V @ 250µA
7.6nC @ 10V
187.3pF @ 25V
±20V
-
630mW（Ta）
4 欧姆 @ 300mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.45
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
京电港自营
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DMP2006UFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
200nC @ 10V
7500pF @ 10V
±10V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
京电港自营
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DMN3027LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
11.3nC @ 10V
580pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
18.6 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
京电港自营
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DMN3027LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
11.3nC @ 10V
580pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
18.6 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
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DMN3008SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
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DMN3008SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.27
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
京电港自营
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DMP2021UFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±8V
-
730mW（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A
京电港自营
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DMN10H099SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
980mW（Ta）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
京电港自营
自营
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ZVN4106FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
35pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2.5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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