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FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DMP2008UFG-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
72nC @ 4.5V
6909pF @ 10V
±8V
-
2.4W(Ta),41W(Tc)
8 毫欧 @ 12A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP2021UFDE-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±10V
-
1.9W(Ta)
16 毫欧 @ 7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
DMN10H170SVTQ-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
1.2W(Ta)
160 毫欧 @ 5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMT6016LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
820mW(Ta)
16 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMT5015LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
14nC @ 10V
902.7pF @ 25V
±16V
-
820mW(Ta)
15 毫欧 @ 8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
6-UDFN2020(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN2013UFDE-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1.1V @ 250µA
25.8nC @ 8V
2453pF @ 10V
±8V
-
660mW(Ta)
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMP1022UFDF-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
800mV @ 250µA
48.3nC @ 8V
2712pF @ 10V
±8V
-
730mW(Ta)
15.3 毫欧 @ 4A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP4047LFDE-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
23.2nC @ 10V
1382pF @ 20V
±20V
-
700mW(Ta)
33 毫欧 @ 4.4A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP3008SFG-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
47nC @ 10V
2230pF @ 15V
±20V
-
900mW(Ta)
17 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP3098LSS-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
2.5W(Ta)
65 毫欧 @ 5.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
DMN3030LSS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
25nC @ 10V
741pF @ 15V
±25V
-
2.5W(Ta)
18 毫欧 @ 9A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
DMN3300U-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
-
193pF @ 10V
±12V
-
700mW(Ta)
150 毫欧 @ 4.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN10H220LVT-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.67W(Ta)
220 毫欧 @ 1.6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN13H750S-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
4V @ 250µA
5.6nC @ 10V
231pF @ 25V
±20V
-
770mW(Ta)
750 毫欧 @ 2A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
ZXM61N02FTC
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.7V,4.5V
700mV @ 250µA
3.4nC @ 4.5V
160pF @ 15V
±12V
-
625mW(Ta)
180 毫欧 @ 930mA,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP2021UFDE-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±10V
-
1.9W(Ta)
16 毫欧 @ 7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
DMP3026SFDF-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4V,10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W(Ta)
19 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
DMP3026SFDF-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4V,10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W(Ta)
19 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
DMP6110SFDF-7
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
±20V
-
1.97W(Ta)
110 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
DMN2011UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W(Ta)
9.5 毫欧 @ 7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
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