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不同Id Vgs时的Rds On
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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
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¥6.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 24A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6042SPS-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.8nC @ 10V
584pF @ 25V
±20V
-
1.5W（Ta）
50 毫欧 @ 5.1A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
京电港自营
自营
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DMP6050SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1293pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 4.8A
京电港自营
自营
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DMP6050SFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1293pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
京电港自营
自营
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DMP3017SFK-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
90nC @ 10V
4414pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
14 毫欧 @ 9.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
京电港自营
自营
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DMN2005UFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
京电港自营
自营
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DMN2005UFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥5.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 7.6A
京电港自营
自营
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DMP2023UFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
27nC @ 4.5V
1837pF @ 15V
±8V
-
730mW（Ta）
27 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V POWERDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP4025SFGQ-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
33.7nC @ 10V
1643pF @ 20V
±20V
-
810mW（Ta）
25 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMG7401SFGQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH
京电港自营
自营
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DMP4025SFGQ-13
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
14nC @ 4.5V
1643pF @ 20V
±20V
-
810mW（Ta）
25 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
京电港自营
自营
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DMG7401SFGQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP3036SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
1931pF @ 15V
±25V
-
950mW（Ta）
20 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
京电港自营
自营
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DMT2004UFDF-7
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.45V @ 250µA
53.7nC @ 10V
1683pF @ 15V
±12V
-
800mW（Ta）, 12.5W（Tc）
6 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
京电港自营
自营
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DMN6069SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1480pF @ 30V
±20V
-
930mW（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN3B14FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
6.7nC @ 4.5V
568pF @ 15V
±12V
-
1W（Ta）
80 毫欧 @ 3.1A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO
京电港自营
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DMG4407SSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
20.5nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
1.45W（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMS3012SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
14.7nC @ 10V
4310pF @ 15V
±20V
肖特基二极管（体）
890mW（Ta）
10 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
京电港自营
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DMT3020LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
±20V
-
700mW（Ta）, 1.8W（Tc）
17 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
京电港自营
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DMP3098LDM-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
1.25W（Ta）
65 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
京电港自营
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ZXMN10A08E6TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
7.7nC @ 10V
405pF @ 50V
±20V
-
1.1W（Ta）
250 毫欧 @ 3.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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