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不同Id Vgs时的Rds On
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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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¥3.60
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
自营
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DMP3026SFDE-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SC59
京电港自营
自营
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DMG3407SSN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
16nC @ 10V
700pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 4.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥2.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
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DMN2028UVT-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
京电港自营
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DMP3056L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
京电港自营
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DMN1045UFR4-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
375pF @ 10V
±8V
-
500mW（Ta）
45 毫欧 @ 3.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
京电港自营
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DMN601TK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
150mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.40
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
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DMN3053L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.04
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
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DMP4065S-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.2nC @ 10V
587pF @ 20V
±20V
-
720mW（Ta）
80 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
京电港自营
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DMN2501UFB4-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
2nC @ 10V
82pF @ 16V
±8V
-
500mW（Ta）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
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DMP1045U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15.8nC @ 4.5V
1357pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
31 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
京电港自营
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DMN62D0LFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4V
1V @ 250µA
0.45nC @ 4.5V
32pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-X1DFN1006
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
京电港自营
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DMG3415UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
10nC @ 4.5V
281.9pF @ 10V
±8V
-
400mW（Ta）
39 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
DFN2015H4-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
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DMN3023L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 250µA
18.4nC @ 10V
873pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥9.48
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
京电港自营
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DMN2065UW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
5.4nC @ 4.5V
400pF @ 10V
±12V
-
430mW（Ta）
56 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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DMG3418L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
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DMP10H4D2S-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
1.8nC @ 10V
87pF @ 25V
±20V
-
380mW（Ta）
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥1.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
京电港自营
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DMN62D1LFD-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4V
1V @ 250µA
0.55nC @ 4.5V
36pF @ 25V
±20V
-
500mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.115A
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DMN33D8LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1.5V @ 100µA
0.55nC @ 10V
48pF @ 5V
±20V
-
240mW（Ta）
5 欧姆 @ 10mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
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DMG2305UXQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
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DMP3068L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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