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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
MMBT3906WT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
40V
200mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
8GHz
100mW
90 @ 10mA,5V
30mA
NPN
2SC5277A-2-TL-E
-
表面贴装
SMCP
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥81.63
自营
BMS3003-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
78A(Ta)
4V,10V
-
285nC @ 10V
13200pF @ 20V
2W(Ta),40W(Tc)
6.5 毫欧 @ 39A,10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥41.67
自营
NTMFS5C410NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
46A(Ta), 300A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
18nC @ 10V
6100pF @ 25V
3.9W(Ta), 166W(Tc)
0.92 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.11
自营
NTMFS4985NFT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17.5A(Ta),65A(Tc)
4.5V,10V
2.3V @ 1mA
30.5nC @ 10V
2100pF @ 15V
1.63W(Ta),22.73W(Tc)
3.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NGB8207NT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
365V
20A
50A
2.6V @ 4V,20A
165W
-
逻辑
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
PNP
BCP53-16T3G
-
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
43 周
80V
1.5A
1.5W
-65°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 150mA,2V
50MHz
2 NPN(双)
BC847BDW1T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
2 NPN(双)
NSV40301MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
40V
3A
653mW
115mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 2A,2V
100MHz
NPN
MMBTA06WT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
80V
500mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
100MHz
NPN
2SC5706-TL-H
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
5A
800mW
150°C(TJ)
240mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
400MHz
NPN
2N6288G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
30V
7A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3.5V @ 3A,7A
1mA
30 @ 3A,4V
4MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVB114YPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124XPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥11.25
自营
NTJS3157NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 4.5V
500pF @ 10V
1W(Ta)
60 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.43
自营
CPH6355-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
1.6W(Ta)
169 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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